El LH21256 es una RAM dinámica de 262,144 palabras y 1 bit, fabricada con tecnología de proceso de puerta de poli silicio de 2 capas y canal N.
Con entradas de direcciones multiplexadas y paquetes DIP/ZIP estándar de 16 pines, es fácil integrar sistemas de memoria con alta velocidad, bajo consumo de energía y gran capacidad de memoria.
El LH21256 funciona con una única fuente de alimentación de +5V.
El circuito generador de polarización de sustrato de alto rendimiento incorporado elimina la sensibilidad a la insuficiencia de señales de entrada.
- Organización: 262144bits
- Tiempo de acceso: 100/120/150 ns (MÁX.)
- Tiempo de ciclo: 200/230/260 ns (MIN.)
- Modo de operación: Página
- Encapsulado: DIP-16
- Modo de funcionamiento: Asíncrono
- Ancho de memoria 1
- Número de funciones: 1
- Número de puertos: 1
- Número de terminales: 16
- Características de salida: 3 ESTADOS
- Ciclos de actualización 256.0
- Tensión de alimentación nominal: 5.0V
- Tensión de alimentación mínima: 4.5V
- Tensión de alimentación máxima: 5.5V
- Tecnología NMOS
Consumo de energía:
- En funcionamiento: 467.5/440/385 mW (MÁX.)
- En espera: 27.5 mW (MÁX.)
- E/S compatibles con TTL
- Función CAS cerrada incorporada
- E/S separadas permiten una acción de escritura anticipada
- Disponible para lectura, modificación y escritura, actualización solo de RAS, actualización oculta, CAS antes de la actualización de RAS
- 256 ciclos de actualización (tiempo de actualización 4ms)
- Circuito generador de polarización de alto rendimiento incorporado
