Transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio vatio).
Puede trabajar a frecuencias medianamente altas.
- Transistor: Bipolar (BJT) NPN
- IC: 600 mA.
- PD: 625 mW.
- VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
- fT: 300MHz mínimo
- Encapsulado: TO-92